【湿法转移(基底刻蚀)铜箔上CVD生长的石墨烯】 [原创]

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实验简介

用PMMA辅助,刻蚀液进行基底刻蚀,从而实现CVD法合成石墨烯的转移

参考文献

youtube视频;相关文献

实验原理


                        

安全性


                                            

主要试剂/材料

匀胶机 - -
热台 - -
目标衬底 - -
铜箔刻蚀液 - -
去离子水 - -

【湿法转移(基底刻蚀)铜箔上CVD生长的石墨烯】的实验步骤

第1步

把生长了石墨烯的铜箔,裁剪出需要的大小

第2步

旋涂上300nm左右的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)
旋涂与后烘参数,参见所用的胶型号对应的说明
比如,对于Microchem EL-9,转速3200 rpm,时间45 s可旋涂上 310 nm 胶厚 

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实验结果

待自然冷却后,放于丙酮里去除PMMA。一般会再进行退火处理(例如,Ar氛围下300℃十分钟,350℃五分钟),进一步清除残留PMMA,获得更高质量的石墨烯。
完成从铜基底至氧化硅基底的转移过程。

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